Kioxia и SanDisk начали отбор образцов своих 10-го поколения 332-слойных микросхем BiCS 3D NAND.
Новые 1 Tbit TLC (3 бита на ячейку) чипы предназначены для развертывания корпоративных и дата-центровых SSD.Помимо 52% увеличения слоев накладывания, дуэт принял два ключевых обновления: технологии CMOS Directly Bonded to Array (CBA) и On-Pitch Select Gate Drain (OPS).Процесс CBA изготавливает логические и NAND-волочки отдельно, прежде чем связывать их вместе, в то время как OPS сокращает длину бит-линий и сокращает емкость строки слов, устраняя избыточные отверстия в памяти.
Улучшенное боковое масштабирование и дополнительные 114 слоев совместно повышают плотность клеток чипа.Kioxia также подтверждает 18% повышение эффективности записи и 30% повышение эффективности чтения, эффективно снижая общее потребление энергии.
Промежуточная технология BiCS 9 от Kioxia использует 218-слойные BiCS 8 3D NAND-элементы в паре с независимым CMOS-логическим слоем, обеспечивая лучшую производительность, чем оригинальная схема BiCS 8.Оснащенный переключателем DDR6.0 интерфейс и протокол Separate Command Address (SCA), BiCS 10 достигает скорости передачи 4,8 Гбит/с, что представляет собой то же 33% скорость повышения по сравнению с BiCS 8.
BiCS 10 NAND от Sandisk и Kioxia
Массовое производство BiCS 10 планируется начать в следующем году на заводе Kitakami 2 в префектуре Ивате.Обе фирмы разделяют производство заводов и в настоящее время поставляют 10 образцов BiCS.. 332-слойная платформа также поддерживает предстоящие варианты QLC (4 бита на ячейку), которые могут увеличить емкость чипа на одну треть. Архитектура BiCS 10 складывает три набора 100+ слоев NAND-стрингов,вместо принятия монолитного 332-слойного дизайна чипа.
Kioxia ожидает устойчивого спроса на NAND, обусловленного растущей популярностью агентического ИИ и робототехники на базе ИИ.Генеральный директор Хиру Ота заявил о возможном расширении мощностей во время мероприятия в японских СМИ, в котором говорится, что компания будет в полной мере удовлетворять текущему росту рынка.
В конкурентном ландшафте 3-D NAND 9-го поколения SK Hynix имеет 321 слой с трёхструнной структурой свертывания.внедрение архитектуры Cell-on-Periphery (CoP) с отдельными логическими и запоминающимися пластинами для производства 1 Tbit diesВ настоящее время Micron предлагает 276-уровневую NAND, без официальных обновлений на будущей дорожной карте слоев.Китайский YMTC готов выпустить свою технологию 3D NAND класса 300-слоев в ближайшем будущем.
Пекинская компания Qianxing Jietong Technology Co., Ltd.
Сэнди Янг, директор по глобальной стратегии
WhatsApp / WeChat: +86 13426366826
Электронная почта: yangyd@qianxingdata.com
Сайт: www.qianxingdata.com/www.storagesserver.com
Бизнес фокус:
Распространение ИКТ-продуктов/интеграция систем и услуги/решения инфраструктуры
Имея более 20-летний опыт распространения ИТ, мы сотрудничаем с ведущими мировыми брендами для предоставления надежных продуктов и профессиональных услуг.
Использование технологий для создания интеллектуального мира Ваш надежный поставщик услуг ИКТ-продуктов!